Numer produktu producenta:
IPZ40N04S58R4ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPZ40N04S58R4ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32
Magazyn:
9693 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12822518
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPZ40N04S58R4ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™-5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 10µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
771 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8-32
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
IPZ40N04
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPZ40N04S58R4ATMA1DKR
SP001153438
2156-IPZ40N04S58R4ATMA1
IPZ40N04S58R4ATMA1TR
IPZ40N04S58R4ATMA1-DG
IPZ40N04S58R4ATMA1CT
IFEINFIPZ40N04S58R4ATMA1
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTT60N10
MOSFET N-CH 100V 60A TO268
IRLMS6702TRPBF
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
IRLR3103TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
