Numer produktu producenta:
IPW90R120C3XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPW90R120C3XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Magazyn:
36 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13064092
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPW90R120C3XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™
Opakowanie
Tube
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.9mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6800 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
417W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3-21
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IPW90R120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP002548896
IPW90R120C3XKSA1-ND
448-IPW90R120C3XKSA1
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF5305L
MOSFET P-CH 55V 31A TO262
IRF7459PBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRF3205ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
