Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IPW65R660CFDFKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPW65R660CFDFKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12806124
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPW65R660CFDFKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
615 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3-1
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IPW65R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IPW65R660CFDFKSA1
Karta danych HTML
IPW65R660CFDFKSA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPW65R660CFDFKSA1-IT
INFINFIPW65R660CFDFKSA1
IPW65R660CFD
SP000861700
IPW65R660CFD-DG
Pakiet Standard
240
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFPF50PBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
466
NUMER CZĘŚCI
IRFPF50PBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.01
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STW10N95K5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
466
NUMER CZĘŚCI
STW10N95K5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.98
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF9410TRPBF
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
IPU80R1K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
IRL540NL
MOSFET N-CH 100V 36A TO262
IPW60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3