Numer produktu producenta:
IPW65R075CFD7AXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPW65R075CFD7AXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Magazyn:
240 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12977037
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPW65R075CFD7AXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
*
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
75mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 820µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3288 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
171W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3-41
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IPW65R075
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPW65R075CFD7AXKSA1
2156-IPW65R075CFD7AXKSA1
SP005324280
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
HAT1091C0S-EL-E
HAT1091C0S - P-CHANNEL POWER MOS
NP80N06MLG-S18-AY
NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C
HAT2205C-EL-E
HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE