Numer produktu producenta:
IPW65R029CFD7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPW65R029CFD7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 69A (Tc) 305W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Magazyn:
205 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12947826
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPW65R029CFD7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
69A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
29mOhm @ 35.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.79mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7149 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
305W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IPW65R029
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP005413355
448-IPW65R029CFD7XKSA1
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ACMSN2312T-HF
MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
ND2012L
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF7205TRPBF
IRF7205 - 20V-250V P-CHANNEL POW
