Numer produktu producenta:
IPW60R180C7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPW60R180C7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Magazyn:
218 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12823299
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPW60R180C7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ C7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1080 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IPW60R180
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001296232
448-IPW60R180C7XKSA1
IPW60R180C7XKSA1-DG
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BUK7Y35-55B,115
MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK56
IRF7324D1
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
IRFR3708TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK