Numer produktu producenta:
IPW60R160P6FKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPW60R160P6FKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Magazyn:
230 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803031
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPW60R160P6FKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ P6
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
23.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 750µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2080 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
176W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IPW60R160
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
INFINFIPW60R160P6FKSA1
2156-IPW60R160P6FKSA1
SP001017092
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF7353D1PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IPL65R650C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
IPS65R600E6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3