Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IPW50R190CEFKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPW50R190CEFKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12816836
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPW50R190CEFKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
13V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 510µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1137 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
127W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3-1
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IPW50R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IPW50R190CEFKSA1
Karta danych HTML
IPW50R190CEFKSA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000850798
2156-IPW50R190CEFKSA1-IT
IPW50R190CE
IPW50R190CE-DG
INFINFIPW50R190CEFKSA1
Pakiet Standard
240
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTQ40N50L2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
360
NUMER CZĘŚCI
IXTQ40N50L2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
11.96
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTK46N50L
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
756
NUMER CZĘŚCI
IXTK46N50L-DG
CENA JEDNOSTKOWA
33.03
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTQ36N50P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
263
NUMER CZĘŚCI
IXTQ36N50P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
6.34
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTQ30N50L2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTQ30N50L2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
10.85
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTX46N50L
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
243
NUMER CZĘŚCI
IXTX46N50L-DG
CENA JEDNOSTKOWA
32.68
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CSD25304W1015
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
CSD17553Q5A
MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
HUFA76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
IRFS634B_FP001
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F