Numer produktu producenta:
IPU80R1K4P7AKMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Magazyn:
6 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13064131
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPU80R1K4P7AKMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™
Opakowanie
Tube
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.05 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
250 pF @ 500 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3-21
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
IPU80R1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
INFINFIPU80R1K4P7AKMA1
SP001422742
2156-IPU80R1K4P7AKMA1
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB65R310CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
IRFS3107-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IRF1404STRR
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
