Numer produktu producenta:
IPTG111N20NM3FDATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPTG111N20NM3FDATMA1-DG
Opis:
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 10.8A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Magazyn:
36 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12959072
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPTG111N20NM3FDATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™ 3
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10.8A (Ta), 108A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 267µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7000 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HSOG-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerSMD, Gull Wing
Podstawowy numer produktu
IPTG111N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP005431194
448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR
448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT
448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR
Pakiet Standard
1,800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIR450DP-T1-RE3
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
SUM90100E-GE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
IPTC014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
