Numer produktu producenta:
IPT65R125CFD7XTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPT65R125CFD7XTMA1-DG
Opis:
HIGH POWER_NEW
Szczegółowy opis:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-3
Magazyn:
12976339
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPT65R125CFD7XTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
-
Technologia
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
-
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
-
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
-
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HSOF-8-3
Pakiet / Walizka
8-PowerSFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPT65R125CFD7XTMA1TR
448-IPT65R125CFD7XTMA1CT
448-IPT65R125CFD7XTMA1DKR
SP005537610
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IMZA120R020M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IMW120R020M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IMZA120R040M1HXKSA1
SIC DISCRETE
