Numer produktu producenta:
IPT60R028G7XTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPT60R028G7XTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 75A (Tc) 391W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Magazyn:
3279 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12804153
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPT60R028G7XTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ G7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 28.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.44mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4820 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
391W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HSOF-8-2
Pakiet / Walizka
8-PowerSFN
Podstawowy numer produktu
IPT60R028
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPT60R028G7XTMA1-DG
INFINFIPT60R028G7XTMA1
IPT60R028G7XTMA1CT
IPT60R028G7XTMA1DKR
IPT60R028G7XTMA1TR
SP001579312
2156-IPT60R028G7XTMA1
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR7446PBF
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
IRFR3504ZTRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
