IPT014N10N5ATMA1
Numer produktu producenta:

IPT014N10N5ATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPT014N10N5ATMA1-DG

Opis:

TRENCH >=100V
Szczegółowy opis:
100 V 362A Surface Mount PG-HSOF-8-1

Magazyn:

13002437
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPT014N10N5ATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
362A
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
-
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HSOF-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerSFN

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
448-IPT014N10N5ATMA1CT
SP005736726
448-IPT014N10N5ATMA1DKR
448-IPT014N10N5ATMA1TR
Pakiet Standard
2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPTC007N06NM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V

onsemi

NTMFS4C922NAT3G

TRENCH 6 30V NCH

vishay-siliconix

SIHG085N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

vishay-siliconix

SIHH085N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST