Numer produktu producenta:
IPT007N06NATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPT007N06NATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Magazyn:
3835 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803552
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPT007N06NATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
300A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 280µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
287 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
16000 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HSOF-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerSFN
Podstawowy numer produktu
IPT007
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPT007N06N
SP001100158
Q9491993
IPT007N06NATMA1TR
IPT007N06NATMA1DKR
IPT007N06NATMA1CTINACTIVE
IPT007N06NATMA1CT
-IPT007N06NATMA1
IPT007N06NATMA1CT-NDL
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR7446TRPBF
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
IRFS7730TRL7PP
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IPAN70R900P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO220
