Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IPSA70R950CEAKMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPSA70R950CEAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 8.7A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-347
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12803938
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPSA70R950CEAKMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
328 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
94W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3-347
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
IPSA70
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IPSA70R950CEAKMA1
Karta danych HTML
IPSA70R950CEAKMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001605396
2156-IPSA70R950CEAKMA1
INFINFIPSA70R950CEAKMA1
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPSA70R900P7SAKMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4
NUMER CZĘŚCI
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.63
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
TSM60NB900CH C5G
PRODUCENT
Taiwan Semiconductor Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
55
NUMER CZĘŚCI
TSM60NB900CH C5G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.45
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STU7LN80K5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3000
NUMER CZĘŚCI
STU7LN80K5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.82
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF1010EZ
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
IRFS4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IPS65R1K4C6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
IPB45N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3