Numer produktu producenta:
IPS80R600P7AKMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPS80R600P7AKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Magazyn:
12803262
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPS80R600P7AKMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
570 pF @ 500 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3-342
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
IPS80R600
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001644630
IFEINFIPS80R600P7AKMA1
2156-IPS80R600P7AKMA1
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIHU7N60E-E3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SIHU7N60E-E3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.82
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPZA60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
IRF7416TRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
IRFZ44VZS
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK