Numer produktu producenta:
IPS135N03LGAKMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPS135N03LGAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Magazyn:
12803268
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPS135N03LGAKMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3-11
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPS135N03LGIN-DG
SP000788220
SP000257455
IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGXK
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
IRF2804STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
