Numer produktu producenta:
IPP60R080P7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPP60R080P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Magazyn:
12803398
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
AXnu
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPP60R080P7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
37A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2180 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
129W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IPP60R080
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPP60R080P7XKSA1-DG
SP001647034
448-IPP60R080P7XKSA1
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD60R2K0C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
BSC080P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
IPP80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
