Numer produktu producenta:
IPP60R022S7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPP60R022S7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Magazyn:
177 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12822867
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPP60R022S7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™S7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
23A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
12V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.44mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5639 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
390W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3-1
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IPP60R022
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPP60R022S7XKSA1
SP003393028
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRL3713STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
BUK9618-55A,118
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
IRL3202PBF
MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB
