Numer produktu producenta:
IPP111N15N3GXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPP111N15N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Magazyn:
3898 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13064062
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
72ca
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPP111N15N3GXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
OptiMOS™
Opakowanie
Tube
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
83A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3230 pF @ 75 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IPP111
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPP111N15N3GXKSA1-ND
IPP111N15N3 G-ND
IPP111N15N3G
SP000677860
IPP111N15N3 G
448-IPP111N15N3GXKSA1
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF7580MTRPBF
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
IPA65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
