Numer produktu producenta:
IPP057N06N3GHKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPP057N06N3GHKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Magazyn:
12805514
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPP057N06N3GHKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 58µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6600 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IPP057M
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000446780
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPP057N06N3GXKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
494
NUMER CZĘŚCI
IPP057N06N3GXKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.67
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP60R520CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3
IRLZ44NSPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
IRFB7434GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB