Numer produktu producenta:
IPN80R2K0P7ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 6.4W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Magazyn:
12803654
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPN80R2K0P7ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
175 pF @ 500 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
IPN80R2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPN80R2K0P7ATMA1CT
IPN80R2K0P7ATMA1DKR
SP001664996
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
IPN80R2K0P7ATMA1TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR13N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
IRF3708PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
