Numer produktu producenta:
IPN70R900P7SATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPN70R900P7SATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 6.5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Magazyn:
12801013
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPN70R900P7SATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
211 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
IPN70R900
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPN70R900P7SATMA1TR
IPN70R900P7SATMA1CT
IFEINFIPN70R900P7SATMA1
IPN70R900P7SATMA1DKR
SP001657482
2156-IPN70R900P7SATMA1
IPN70R900P7SATMA1-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80N07S405ATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
IPI070N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
BSS83PE6327
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
