Numer produktu producenta:
IPN70R600P7SATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPN70R600P7SATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 6.9W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Magazyn:
3209 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800783
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPN70R600P7SATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
364 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.9W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
IPN70R600
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPN70R600P7SATMA1DKR
2156-IPN70R600P7SATMA1
IPN70R600P7SATMA1CT
IFEINFIPN70R600P7SATMA1
IPN70R600P7SATMA1-DG
IPN70R600P7SATMA1TR
SP001657476
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
BUZ31 E3046
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
IPA80R310CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 16.7A TO220-FP