Numer produktu producenta:
IPN70R1K2P7SATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPN70R1K2P7SATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 4.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Magazyn:
1316 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803459
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
TzWb
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPN70R1K2P7SATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
174 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.3W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
IPN70R1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPN70R1K2P7SATMA1TR
SP001664900
IPN70R1K2P7SATMA1-DG
IPN70R1K2P7SATMA1CT
IPN70R1K2P7SATMA1TR
IPN70R1K2P7SATMA1DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A TO220-3
IRF1404L
MOSFET N-CH 40V 162A TO262
IPI60R520CPAKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO262-3