Numer produktu producenta:
IPN60R360PFD7SATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPN60R360PFD7SATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3-1
Magazyn:
13573 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12810864
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPN60R360PFD7SATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™PFD7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 140µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
534 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
7W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223-3-1
Pakiet / Walizka
TO-261-3
Podstawowy numer produktu
IPN60R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPN60R360PFD7SATMA1CT
SP004038250
448-IPN60R360PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R360PFD7SATMA1TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
