Numer produktu producenta:
IPN50R800CEATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPN50R800CEATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Magazyn:
15140 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12802708
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPN50R800CEATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ CE
Status produktu
Last Time Buy
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
13V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
IPN50R800
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001461196
IPN50R800CEATMA1TR
2156-IPN50R800CEATMA1
IPN50R800CEATMA1DKR
IPN50R800CEATMA1CT
IPN50R800CEATMA1-DG
IFEINFIPN50R800CEATMA1
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPU60R2K0C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
IRF3515STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
