Numer produktu producenta:
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPLK60R1K0PFD7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 5.2A (Tc) 31.3W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-52
Magazyn:
12976583
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ PFD7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
230 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
31.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-52
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
IPLK60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1CT
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1DKR
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1TR
SP005354001
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TKR74F04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
2N7002W
MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5
