Numer produktu producenta:
IPL65R230C7AUMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPL65R230C7AUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 67W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Magazyn:
3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803569
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPL65R230C7AUMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ C7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
996 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
67W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-VSON-4
Pakiet / Walizka
4-PowerTSFN
Podstawowy numer produktu
IPL65R230
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPL65R230C7AUMA1CT
INFINFIPL65R230C7AUMA1
SP001032728
IPL65R230C7AUMA1TR
2156-IPL65R230C7AUMA1
IPL65R230C7AUMA1DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF1405ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IPL60R299CPAUMA1
MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
IPD170N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
