Numer produktu producenta:
IPL65R1K5C6SATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPL65R1K5C6SATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Magazyn:
12799981
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPL65R1K5C6SATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ C6
Status produktu
Last Time Buy
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
225 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
26.6W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSON-8-2
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
IPL65R1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001163086
INFINFIPL65R1K5C6SATMA1
2156-IPL65R1K5C6SATMA1
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
GC11N65D5
PRODUCENT
Goford Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
GC11N65D5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.65
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
