Numer produktu producenta:
IPL60R185P7AUMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPL60R185P7AUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Magazyn:
5980 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12822502
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPL60R185P7AUMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
185mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
81W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-VSON-4
Pakiet / Walizka
4-PowerTSFN
Podstawowy numer produktu
IPL60R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPL60R185P7AUMA1
SP001606056
IFEINFIPL60R185P7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1CT
IPL60R185P7AUMA1DKR
IPL60R185P7AUMA1TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFI4410ZGPBF
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP
IPP120N06S4H1AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRFR220NTRR
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
