Numer produktu producenta:
IPI80N06S3L-08
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPI80N06S3L-08-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 105W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Magazyn:
12801146
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPI80N06S3L-08 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 55µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6475 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
105W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
IPI80N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPI80N06S3L08X
IFEINFIPI80N06S3L-08
IPI80N06S3L-08-DG
IPI80N06S3L-08IN
SP000088131
IPI80N06S3L08XK
2156-IPI80N06S3L-08-IT
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
TP0606N3-G-P002
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
IPB45N06S4L08ATMA3
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
