Numer produktu producenta:
IPI80N06S208AKSA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPI80N06S208AKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Magazyn:
12802892
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPI80N06S208AKSA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
215W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3-1
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
IPI80N06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPI80N06S208AKSA2
IPI80N06S208AKSA2-DG
SP001067886
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPI80N06S407AKSA2
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
500
NUMER CZĘŚCI
IPI80N06S407AKSA2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.80
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFS4321-7PPBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
