Numer produktu producenta:
IPI65R099C6XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPI65R099C6XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Magazyn:
12810721
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPI65R099C6XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
38A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
127 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2780 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3-1
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
IPI65R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPI65R099C6XKSA1
INFINFIPI65R099C6XKSA1
SP000895222
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STI33N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STI33N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.72
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP80N06S208AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
VN2410L-G-P013
MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
IRLZ34NS
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
