Numer produktu producenta:
IPI60R299CPXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPI60R299CPXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Magazyn:
12805882
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
rJ5G
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPI60R299CPXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
IPI60R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPI60R299CPXKSA1-IT
IFEINFIPI60R299CPXKSA1
IPI60R299CP-DG
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPX
IPI60R299CP
SP000103249
IPI60R299CPAKSA1
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STI24N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1180
NUMER CZĘŚCI
STI24N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.07
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF2807L
MOSFET N-CH 75V 82A TO262
IPP60R160P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
IRLR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
