Numer produktu producenta:
IPI530N15N3GXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPI530N15N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Magazyn:
12805044
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPI530N15N3GXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
21A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
53mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
887 pF @ 75 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
IPI530
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPI530N15N3 G-DG
ROCINFIPI530N15N3GXKSA1
IPI530N15N3 G
SP000807642
2156-IPI530N15N3GXKSA1
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR3707ZTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
IPA060N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
IRFSL4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
