Numer produktu producenta:
IPI50R399CPXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPI50R399CPXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Magazyn:
12813060
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPI50R399CPXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
890 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
IPI50R399
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000680738
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STP18N55M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
971
NUMER CZĘŚCI
STP18N55M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.33
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB65R225C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
IRF7811APBF
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
IRFR120NTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
