Numer produktu producenta:
IPI086N10N3GXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPI086N10N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Magazyn:
270 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803122
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPI086N10N3GXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3980 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
IPI086
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPI086N10N3 G-DG
IFEINFIPI086N10N3GXKSA1
2156-IPI086N10N3GXKSA1
IPI086N10N3G
IPI086N10N3 G
SP000485982
SP000683070
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP65R420CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
IRF6215L
MOSFET P-CH 150V 13A TO262