Numer produktu producenta:
IPI076N15N5AKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPI076N15N5AKSA1-DG
Opis:
MV POWER MOS
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Magazyn:
455 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803224
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPI076N15N5AKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
112A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 160µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4700 pF @ 75 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
IPI076
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPI076N15N5AKSA1-DG
448-IPI076N15N5AKSA1
SP001326438
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
