IPF019N12NM6ATMA1
Numer produktu producenta:

IPF019N12NM6ATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPF019N12NM6ATMA1-DG

Opis:

TRENCH >=100V
Szczegółowy opis:

Magazyn:

13004428
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPF019N12NM6ATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Podstawowy numer produktu
IPDQ65

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
448-IPF019N12NM6ATMA1DKR
448-IPF019N12NM6ATMA1TR
448-IPF019N12NM6ATMA1CT
SP005586125
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
goford-semiconductor

G130N06S

MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@

taiwan-semiconductor

TSM3457CX6

-30V, -5A, SINGLE P-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G7K2N20LLE

MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-23-6

good-ark-semiconductor

SSF02N15

MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.4A, 150V