Numer produktu producenta:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
Opis:
HIGH POWER_NEW
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Magazyn:
13004367
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPDQ65R017CFD7XTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
136A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3.08mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12338 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
694W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HDSOP-22-1
Pakiet / Walizka
22-PowerBSOP Module
Podstawowy numer produktu
IPDQ65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1CT
SP005537598
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1DKR
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1TR
Pakiet Standard
750
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSFN6907
MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
GSF0500AT
MOSFET, N-CH, SINGLE, 360MA, 50V
TP5335MF-G-VAO
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
