Numer produktu producenta:
IPDD60R080G7XTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPDD60R080G7XTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Magazyn:
2376 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13064043
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPDD60R080G7XTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
CoolMOS™ G7
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
29A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1640 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
174W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HDSOP-10-1
Pakiet / Walizka
10-PowerSOP Module
Podstawowy numer produktu
IPDD60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPDD60R080G7XTMA1CT
IPDD60R080G7XTMA1TR
IFEINFIPDD60R080G7XTMA1
SP001632824
IPDD60R080G7XTMA1DKR
2156-IPDD60R080G7XTMA1
Pakiet Standard
1,700
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF1010NLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO262
IRFS4410
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
IRF9204PBF
MOSFET P-CH 40V 56A TO220AB