Numer produktu producenta:
IPD90N06S407ATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD90N06S407ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Magazyn:
31892 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12806132
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD90N06S407ATMA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-11
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD90
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD90N06S407ATMA2-DG
448-IPD90N06S407ATMA2CT
448-IPD90N06S407ATMA2TR
448-IPD90N06S407ATMA2DKR
SP001028680
INFINFIPD90N06S407ATMA2
2156-IPD90N06S407ATMA2
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRL1004PBF
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
IRL3716PBF
MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
IRLZ44NL
MOSFET N-CH 55V 47A TO262
