Numer produktu producenta:
IPD85P04P4L06ATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD85P04P4L06ATMA2-DG
Opis:
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Magazyn:
4000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12927899
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD85P04P4L06ATMA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS®-P2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
85A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 150µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+5V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6580 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
88W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-313
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD85P04
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPD85P04P4L06ATMA2CT
448-IPD85P04P4L06ATMA2TR
SP002325778
448-IPD85P04P4L06ATMA2DKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
JANTX2N6800U
MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC
IPB80P04P4L08ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
AOTF3N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F
