Numer produktu producenta:
IPD70N12S311ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD70N12S311ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Szczegółowy opis:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
8925 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801573
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD70N12S311ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
120 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4355 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD70
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001400108
IPD70N12S311ATMA1-DG
448-IPD70N12S311ATMA1CT
448-IPD70N12S311ATMA1TR
448-IPD70N12S311ATMA1DKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPI120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
IPD180N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
IPD65R1K4CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
