Numer produktu producenta:
IPD65R950CFDATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD65R950CFDATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 3.9A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
2500 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801237
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD65R950CFDATMA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ CFD2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
380 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
36.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD65R950
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD65R950CFDATMA2-DG
SP001977060
448-IPD65R950CFDATMA2TR
448-IPD65R950CFDATMA2DKR
448-IPD65R950CFDATMA2CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7