IPD60R600PFD7SAUMA1
Numer produktu producenta:

IPD60R600PFD7SAUMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPD60R600PFD7SAUMA1-DG

Opis:

CONSUMER PG-TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Magazyn:

4709 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12965564
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPD60R600PFD7SAUMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ PFD7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 80µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
344 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
31W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD60R

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
448-IPD60R600PFD7SAUMA1CT
448-IPD60R600PFD7SAUMA1TR
SP005353996
448-IPD60R600PFD7SAUMA1DKR
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nexperia

PSMN3R5-80YSFX

NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,

vishay-siliconix

SI7117DN-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

vishay-siliconix

SI3473DDV-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

panjit

PJA3409_R1_00001

SOT-23, MOSFET