Numer produktu producenta:
IPD60R600P7SAUMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD60R600P7SAUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
9704 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803347
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD60R600P7SAUMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
363 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD60R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD60R600P7SAUMA1TR
IPD60R600P7SAUMA1DKR
SP001658286
IPD60R600P7SAUMA1-DG
INFINFIPD60R600P7SAUMA1
IPD60R600P7SAUMA1CT
2156-IPD60R600P7SAUMA1
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFS7434TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IPB34CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK
IPI100N04S303MATMA1
MOSFET N-CH TO262-3
