Numer produktu producenta:
IPD60R3K3C6
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD60R3K3C6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
12804769
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD60R3K3C6 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™ C6
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
93 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
18.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD60R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000799130
IPD60R3K3C6DKR
IPD60R3K3C6BTMA1
IPD60R3K3C6TR
IPD60R3K3C6CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STD2N62K3
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2192
NUMER CZĘŚCI
STD2N62K3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.54
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPD60R3K3C6ATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4490
NUMER CZĘŚCI
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.22
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
SIHD2N80E-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1
NUMER CZĘŚCI
SIHD2N80E-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.48
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR2405TRLPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IPB60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
IRF7853PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
