Numer produktu producenta:
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD60R1K5PFD7SAUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Magazyn:
2480 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12810869
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ PFD7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 40µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
169 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
22W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-344
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD60R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP004748872
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT
2156-IPD60R1K5PFD7SAUMA1
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
IPS60R360PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH